Semiconductor devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs); Amendment 1

Tìm kiếm nâng cao

IEC 60747-9 AMD 1*CEI 60747-9 AMD 1

Số trang: 79
Ngày phát hành: 2001-08-00

Liên hệ

Tóm tắt
Chi tiết

Số hiệu tiêu chuẩn

IEC 60747-9 AMD 1*CEI 60747-9 AMD 1

Tên tiêu chuẩn

Semiconductor devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs); Amendment 1

Ngày phát hành

2001-08-00

Trạng thái

Hết hiệu lực

Tiêu chuẩn tương đương

BS IEC 60747-9 (1998-12-15), IDT * NEN-IEC 60747-9:1999/A1:2001 en;fr (2001-09-01), IDT

Tiêu chuẩn liên quan

IEC 60747-7*CEI 60747-7 (2000-12) * IEC 60747-9*CEI 60747-9 (1998-08)

Thay thế cho

IEC 47E/194/FDIS (2001-05)

Thay thế bằng

IEC 60747-9*CEI 60747-9 (2007-09)

Lịch sử ban hành

IEC 60747-9*CEI 60747-9 (2007-09) * IEC 60747-9 AMD 1 (2001-08) * IEC 47E/194/FDIS (2001-05)

Từ khóa

Bipolar transistors * Components * Connections for measurement * Definitions * Dimensioning * Discrete devices * Electrical engineering * Electrical measurement * Electronic engineering * Electronic equipment and components * Integrated circuits * Limits (mathematics) * Measurement * Measuring techniques * Properties * Ratings * Semiconductor devices * Semiconductors * Symbols * Testing * Transistors

Mục phân loại

31.080.30. Tranzito

Số trang

LOẠI TIÊU CHUẨN PHỔ BIẾN | TẤT CẢ LOẠI TIÊU CHUẨN

Semiconductor devices - Part 7: Bipolar transistors
Số hiệu tiêu chuẩn	IEC 60747-7*CEI 60747-7
Ngày phát hành	2000-12-00
Mục phân loại	31.080.30. Tranzito
Trạng thái	Có hiệu lực

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
Số hiệu tiêu chuẩn	IEC 60747-9*CEI 60747-9
Ngày phát hành	1998-08-00
Mục phân loại	31.080.30. Tranzito
Trạng thái	Có hiệu lực